Major capability parameter
Growth method	Czochralski method
Crystal structure	M3
Unit cell constant	a=5.65754 Å
Density	5.323g/cm3
Melt point	937.4℃
Doped material	No doped	Sb-doped	In / Ga –doped
Type	/	N	P
Resistivity	＞35Ωcm	0.05Ωcm	0.05~0.1Ωcm
EPD	＜4×103∕cm2	＜4×103∕cm2	＜4×103∕cm2
Size	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
	dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
Thickness	0.5mm，1.0mm
Polishing	Single or double
Crystal orientation	<100>、<110>、<111>、±0.5º
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）